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时间:2026-02-07 13:33:12 来源:网络整理 编辑:百科
在全球内存价格持续飙升的当下,中国DRAM巨头长鑫存储的一则低价策略消息,让本就躁动的存储器市场陷入多空激烈交战。据报道,长鑫存储针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组推出138美元的“破盘
在全球内存价格持续飙升的内存当下,中国DRAM巨头长鑫存储的售价市场市一则低价策略消息,让本就躁动的仅有M巨价抢存储器市场陷入多空激烈交战。
据报道,曝国长鑫存储针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组推出138美元的头低“破盘价”,该价格仅为当前国际市场300~400美元行情的内存三分之一左右,瞬间引发全球市场震动。售价市场市
这一低价举措直接点燃市场恐慌情绪,仅有M巨价抢投资者担忧存储器产业将再度陷入红海竞争,曝国此前3日早盘一度回暖的头低内存板块随即承压下挫。
其中,内存DRAM双雄华邦电、售价市场市南亚科首当其冲,仅有M巨价抢当日分别暴跌9.05%和5.61%。曝国此外,头低群联、品安、晶豪科、至上、威刚、宇瞻及华东等个股跌幅均逾半根停板,板块恐慌氛围浓厚。
此次市场波动的背后,是全球存储器市场的结构性变化。随着AI运算需求爆发式增长,全球存储器市场已进入新一波超级循环,2025年底相关产品售价便已大幅上涨,甚至打乱了多款电子产品2026年的生产布局。
在此背景下,长鑫存储、长江存储等中国存储大厂正加速布局,抢抓市场机遇。
扩产动作尤为迅猛的长鑫存储,已决定加速扩建上海厂区。据规划,该厂区规模将达到合肥总部的2至3倍,主要聚焦服务器、个人电脑及车用电子所需的DRAM产品生产。
按照时间表,上海厂区设备装机预计于2026年下半年启动,2027年正式进入投产阶段,投产后将显著提升长鑫存储在全球DRAM市场的供给能力。
中国NAND Flash大厂长江存储也在同步发力。其位于武汉的三期项目原定2027年达成的量产目标,有望提前至2026年下半年启动。更为值得关注的是,长江存储计划调整发展策略,将新厂约50%的产能转向DRAM产品生产,正式开启NAND与DRAM双领域并行发展的新模式,进一步完善中国存储产业的产品矩阵。
对于中国存储厂商的崛起及市场格局变化,Yole Group亚洲区主管Gary Huang分析指出,当前全球内存供给持续吃紧,这一市场环境为新兴业者创造了有利的发展契机。
加之中国的政策支持,正推动更多客户主动寻找替代性供应来源,这不仅为长鑫存储、长江存储等中国厂商带来了新的成长动能,也将深刻影响全球存储器市场的竞争格局。

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